雙柵功率MOS管
SES8619AG 采用穩(wěn)先微電子與VIS聯(lián)合開發(fā)的DOUBLEGATETM MOS技術(shù)制造,開關(guān)損耗較低,同時擁有較好的均一性和穩(wěn)定性,可廣泛應用于鋰電池保護,同步整流,DC/DC變換器等應用。
100V, 21A
RDS(ON) = 9.5mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 20A
低 RDS(on) & FOM
低開關(guān)損耗
兼顧穩(wěn)定性與均一性
100% UIS測試 , 100% △VDS 測試
SES8619AG_EN_A4.pdf